老师，请教一个问题。双向可控硅怎么触发
控制极接到正极或负极均能触发，不亮或微弱发亮是因为电池电压、容量过低，控制极宜接一个100Ω电阻就会达到饱和亮度。
可控硅与mos区别
区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。
MOS是高阻抗的控制元件，G可以控制DS的电流大小
可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。
mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10v左右。
MOS是高阻抗的控制元件，G可以控制DS的电流大小
可控硅是开关元件，分为单向可控硅和双向可控硅两种。他不能够控制电流的大小，只能够控制开关。
igbt和双向可控硅区别
igbt是有场效应管和三极管复合而成的复合管，有G，C，E三个端子，G输入电阻非常高，电场控制，具有输入输出隔离效果，是压控流管，用于直流开关电路，
双向可控硅有GKA三个端子，用于交流开关电路，G为控制极，电流控制，是三极换的复合管，输入电阻小，是流控流管。
双向可控硅如何控制
双向可控硅相（又称双向晶闸管）当于两个单向可控硅反向并联，原则上是可以控制直流的。但是由于导通后直流信号一直存在，而可控硅无法过零关断，因此这种控制其实是与使用单向可控硅一样的，只能控开，无法直接控关。
近代随着半导体技术的发展，出现了可关断式晶闸管，这种器件就可以实现直接对直流的控制。
当可关断晶闸管控制端加正向电压时控制晶闸管导通，而加反向电压时又可以控制晶闸管关断。
双向可控硅为什么要过零触发
因为可控硅外加触发信号，双向可控硅导通。但是在220V交流电过零点时，且无外加触发信号时，会自动关断。若不在零点触发让可控硅导通，在其它点时触发会有电压，电流冲击的考虑。在交流电过零点时导通免除了电流和电压的冲击，对可控硅的使用寿命有很好的保护作用。
双向可控硅怎么关闭
等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。
寄存器双向晶闸管导通条件:
一是晶闸管(可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。
